دانش جوین
دوشنبه, خرداد ۱۹, ۱۴۰۴
  • نخست
  • علمی
  • تکنولوژی
    • آرشیو تکنولوژی
    • نرم افزار، اپلیکیشن، سیستم عامل
    • خودرو
    • آرشیو فین‌تک
      • IT
      • دوربین
    • لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار
    • موبایل
  • بازی‌های کامپیوتری
  • پزشکی، سلامت، بهداشت
  • هنر و فرهنگ
  • مقالات
  • سایر پیوندها
    • همیار آی‌تی
  • ورود
بدون نتیجه
مشاهده همه نتیجه
  • نخست
  • علمی
  • تکنولوژی
    • آرشیو تکنولوژی
    • نرم افزار، اپلیکیشن، سیستم عامل
    • خودرو
    • آرشیو فین‌تک
      • IT
      • دوربین
    • لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار
    • موبایل
  • بازی‌های کامپیوتری
  • پزشکی، سلامت، بهداشت
  • هنر و فرهنگ
  • مقالات
  • سایر پیوندها
    • همیار آی‌تی
بدون نتیجه
مشاهده همه نتیجه
دانش جوین
بدون نتیجه
مشاهده همه نتیجه
صفحه اصلی آرشیو تکنولوژی لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار

چین سریع‌ترین حافظه جهان را معرفی کرد؛ انجام ۲۵ میلیارد عملیات در ثانیه

دیجیاتو توسط دیجیاتو
۳۰ فروردین ۱۴۰۴
در لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار
زمان خواندن: زمان موردنیاز برای مطالعه: 3 دقیقه
1
چین سریع‌ترین حافظه جهان را معرفی کرد؛ انجام ۲۵ میلیارد عملیات در ثانیه
6
بازدیدها
اشتراک گذاری در تلگراماشتراک گذاری در توییتر

تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان چین موفق به ساخت سریع‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی نیمه‌هادی در جهان شده‌اند؛ یک حافظه فلش غیرفرار با نام «PoX» که می‌تواند فقط در 400 پیکوثانیه یک بیت را برنامه‌ریزی کند؛ یعنی امکان انجام حدود 25 میلیارد عملیات در هر ثانیه را دارد. بااین‌وجود، حافظه جدید محققان چینی 100 هزار برابر سریع‌تر از فناوری‌های امروزی است.

حافظه‌های مرسوم RAM (از نوع استاتیک و دینامیک) داده‌ها را در حدود 1 تا 10 نانوثانیه می‌نویسند ولی با قطع برق، همه داده‌هایشان را از دست می‌دهند. حافظه‌های فلش برخلاف آنها می‌توانند اطلاعات را بدون نیاز به برق حفظ کنند ولی معمولاً برای نوشتن هر بیت به چند میکروثانیه یا میلی‌ثانیه زمان نیاز دارند؛ بنابراین برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی امروزی که باید ترابایت‌ها داده را لحظه‌ای پردازش کنند، بسیار کند هستند.

بازطراحی فیزیک حافظه فلش

دانشمندان چینی به رهبری پروفسور «ژو پنگ» با جایگزینی کانال‌های سیلیکونی با گرافن دوبعدی و بهره‌گیری از انتقال بالستیک بار الکتریکی، فیزیک حافظه فلش را از نو طراحی کرده‌اند.

همان‌طور که ابتدای مطلب نیز اشاره شده، PoX حافظه غیرفرار است؛ یعنی می‌تواند داده‌ها را بدون نیاز به برق حفظ کند؛ ویژگی مهمی برای سیستم‌های هوش مصنوعی امروزی و دستگاه‌هایی با محدودیت باتری.

ترکیب سرعت فوق‌العاده بالا با مصرف انرژی بسیار پایین، می‌تواند چالش قدیمی حافظه در سخت‌افزارهای هوش مصنوعی را از بین ببرد؛ جایی که بیشترین مصرف انرژی نه از محاسبات بلکه از جابه‌جایی داده ناشی می‌شود.

حافظه فلش همچنان یکی از ارکان اصلی استراتژی جهانی در حوزه نیمه‌هادی‌هاست و حالا کارشناسان می‌گویند دستاورد دانشگاه فودان «مکانیزمی کاملاً نوآورانه» ارائه می‌دهد که می‌تواند این حوزه را متحول کند.

از سوی دیگر، این پیشرفت می‌تواند موقعیت چین در رقابت جهانی برای رهبری در فناوری‌های پایه‌ای تراشه را تقویت کند. هرچند ارقام مربوط به دوام و بازده ساخت این حافظه منتشر نشده، استفاده از کانال گرافنی نشان می‌دهد این فناوری با فرایندهای فعلی مواد دوبعدی که در کارخانه‌های جهانی درحال توسعه‌اند، سازگاری دارد. ژو دراین‌باره می‌گوید:

«پیشرفت ما می‌تواند فناوری ذخیره‌سازی را دگرگون کند، موتور ارتقای صنعت شود و کاربردهای جدیدی را به‌ روی ما بگشاید.»

درصورت تولید انبوه، حافظه‌هایی از نوع PoX می‌توانند نیاز به کش‌های پرسرعت SRAM را در تراشه‌های هوش مصنوعی از بین ببرند؛ درنتیجه، مصرف انرژی و فضای اشغال‌شده را به‌طور چشمگیری کاهش دهند. این فناوری همچنین می‌تواند زمینه‌ساز لپ‌تاپ‌ها و گوشی‌هایی با امکان روشن شدن آنی و مصرف انرژی بسیار پایین شود.

مهندسان دانشگاه فودان اکنون مشغول توسعه معماری سلولی و طراحی آزمایش‌های سطح آرایه‌ای هستند. اگرچه هنوز از شرکای تجاری نامی برده نشده ولی کارخانه‌های چینی درحال رقابت برای ادغام مواد دوبعدی با خطوط تولید CMOS هستند.

تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان چین موفق به ساخت سریع‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی نیمه‌هادی در جهان شده‌اند؛ یک حافظه فلش غیرفرار با نام «PoX» که می‌تواند فقط در 400 پیکوثانیه یک بیت را برنامه‌ریزی کند؛ یعنی امکان انجام حدود 25 میلیارد عملیات در هر ثانیه را دارد. بااین‌وجود، حافظه جدید محققان چینی 100 هزار برابر سریع‌تر از فناوری‌های امروزی است.

حافظه‌های مرسوم RAM (از نوع استاتیک و دینامیک) داده‌ها را در حدود 1 تا 10 نانوثانیه می‌نویسند ولی با قطع برق، همه داده‌هایشان را از دست می‌دهند. حافظه‌های فلش برخلاف آنها می‌توانند اطلاعات را بدون نیاز به برق حفظ کنند ولی معمولاً برای نوشتن هر بیت به چند میکروثانیه یا میلی‌ثانیه زمان نیاز دارند؛ بنابراین برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی امروزی که باید ترابایت‌ها داده را لحظه‌ای پردازش کنند، بسیار کند هستند.

بازطراحی فیزیک حافظه فلش

دانشمندان چینی به رهبری پروفسور «ژو پنگ» با جایگزینی کانال‌های سیلیکونی با گرافن دوبعدی و بهره‌گیری از انتقال بالستیک بار الکتریکی، فیزیک حافظه فلش را از نو طراحی کرده‌اند.

همان‌طور که ابتدای مطلب نیز اشاره شده، PoX حافظه غیرفرار است؛ یعنی می‌تواند داده‌ها را بدون نیاز به برق حفظ کند؛ ویژگی مهمی برای سیستم‌های هوش مصنوعی امروزی و دستگاه‌هایی با محدودیت باتری.

ترکیب سرعت فوق‌العاده بالا با مصرف انرژی بسیار پایین، می‌تواند چالش قدیمی حافظه در سخت‌افزارهای هوش مصنوعی را از بین ببرد؛ جایی که بیشترین مصرف انرژی نه از محاسبات بلکه از جابه‌جایی داده ناشی می‌شود.

حافظه فلش همچنان یکی از ارکان اصلی استراتژی جهانی در حوزه نیمه‌هادی‌هاست و حالا کارشناسان می‌گویند دستاورد دانشگاه فودان «مکانیزمی کاملاً نوآورانه» ارائه می‌دهد که می‌تواند این حوزه را متحول کند.

از سوی دیگر، این پیشرفت می‌تواند موقعیت چین در رقابت جهانی برای رهبری در فناوری‌های پایه‌ای تراشه را تقویت کند. هرچند ارقام مربوط به دوام و بازده ساخت این حافظه منتشر نشده، استفاده از کانال گرافنی نشان می‌دهد این فناوری با فرایندهای فعلی مواد دوبعدی که در کارخانه‌های جهانی درحال توسعه‌اند، سازگاری دارد. ژو دراین‌باره می‌گوید:

«پیشرفت ما می‌تواند فناوری ذخیره‌سازی را دگرگون کند، موتور ارتقای صنعت شود و کاربردهای جدیدی را به‌ روی ما بگشاید.»

درصورت تولید انبوه، حافظه‌هایی از نوع PoX می‌توانند نیاز به کش‌های پرسرعت SRAM را در تراشه‌های هوش مصنوعی از بین ببرند؛ درنتیجه، مصرف انرژی و فضای اشغال‌شده را به‌طور چشمگیری کاهش دهند. این فناوری همچنین می‌تواند زمینه‌ساز لپ‌تاپ‌ها و گوشی‌هایی با امکان روشن شدن آنی و مصرف انرژی بسیار پایین شود.

مهندسان دانشگاه فودان اکنون مشغول توسعه معماری سلولی و طراحی آزمایش‌های سطح آرایه‌ای هستند. اگرچه هنوز از شرکای تجاری نامی برده نشده ولی کارخانه‌های چینی درحال رقابت برای ادغام مواد دوبعدی با خطوط تولید CMOS هستند.

اخبارجدیدترین

سامسونگ نمایشگر 32 اینچی متفاوتی با شارژدهی 200 روزه عرضه می‌کند

بلومبرگ: جانی آیو برای OpenAI حداقل سه محصول سخت‌افزاری طراحی می‌کند

اپل احتمالاً در WWDC 2025 سخت‌افزار جدیدی معرفی نمی‌کند

تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان چین موفق به ساخت سریع‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی نیمه‌هادی در جهان شده‌اند؛ یک حافظه فلش غیرفرار با نام «PoX» که می‌تواند فقط در 400 پیکوثانیه یک بیت را برنامه‌ریزی کند؛ یعنی امکان انجام حدود 25 میلیارد عملیات در هر ثانیه را دارد. بااین‌وجود، حافظه جدید محققان چینی 100 هزار برابر سریع‌تر از فناوری‌های امروزی است.

حافظه‌های مرسوم RAM (از نوع استاتیک و دینامیک) داده‌ها را در حدود 1 تا 10 نانوثانیه می‌نویسند ولی با قطع برق، همه داده‌هایشان را از دست می‌دهند. حافظه‌های فلش برخلاف آنها می‌توانند اطلاعات را بدون نیاز به برق حفظ کنند ولی معمولاً برای نوشتن هر بیت به چند میکروثانیه یا میلی‌ثانیه زمان نیاز دارند؛ بنابراین برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی امروزی که باید ترابایت‌ها داده را لحظه‌ای پردازش کنند، بسیار کند هستند.

بازطراحی فیزیک حافظه فلش

دانشمندان چینی به رهبری پروفسور «ژو پنگ» با جایگزینی کانال‌های سیلیکونی با گرافن دوبعدی و بهره‌گیری از انتقال بالستیک بار الکتریکی، فیزیک حافظه فلش را از نو طراحی کرده‌اند.

همان‌طور که ابتدای مطلب نیز اشاره شده، PoX حافظه غیرفرار است؛ یعنی می‌تواند داده‌ها را بدون نیاز به برق حفظ کند؛ ویژگی مهمی برای سیستم‌های هوش مصنوعی امروزی و دستگاه‌هایی با محدودیت باتری.

ترکیب سرعت فوق‌العاده بالا با مصرف انرژی بسیار پایین، می‌تواند چالش قدیمی حافظه در سخت‌افزارهای هوش مصنوعی را از بین ببرد؛ جایی که بیشترین مصرف انرژی نه از محاسبات بلکه از جابه‌جایی داده ناشی می‌شود.

حافظه فلش همچنان یکی از ارکان اصلی استراتژی جهانی در حوزه نیمه‌هادی‌هاست و حالا کارشناسان می‌گویند دستاورد دانشگاه فودان «مکانیزمی کاملاً نوآورانه» ارائه می‌دهد که می‌تواند این حوزه را متحول کند.

از سوی دیگر، این پیشرفت می‌تواند موقعیت چین در رقابت جهانی برای رهبری در فناوری‌های پایه‌ای تراشه را تقویت کند. هرچند ارقام مربوط به دوام و بازده ساخت این حافظه منتشر نشده، استفاده از کانال گرافنی نشان می‌دهد این فناوری با فرایندهای فعلی مواد دوبعدی که در کارخانه‌های جهانی درحال توسعه‌اند، سازگاری دارد. ژو دراین‌باره می‌گوید:

«پیشرفت ما می‌تواند فناوری ذخیره‌سازی را دگرگون کند، موتور ارتقای صنعت شود و کاربردهای جدیدی را به‌ روی ما بگشاید.»

درصورت تولید انبوه، حافظه‌هایی از نوع PoX می‌توانند نیاز به کش‌های پرسرعت SRAM را در تراشه‌های هوش مصنوعی از بین ببرند؛ درنتیجه، مصرف انرژی و فضای اشغال‌شده را به‌طور چشمگیری کاهش دهند. این فناوری همچنین می‌تواند زمینه‌ساز لپ‌تاپ‌ها و گوشی‌هایی با امکان روشن شدن آنی و مصرف انرژی بسیار پایین شود.

مهندسان دانشگاه فودان اکنون مشغول توسعه معماری سلولی و طراحی آزمایش‌های سطح آرایه‌ای هستند. اگرچه هنوز از شرکای تجاری نامی برده نشده ولی کارخانه‌های چینی درحال رقابت برای ادغام مواد دوبعدی با خطوط تولید CMOS هستند.

تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان چین موفق به ساخت سریع‌ترین دستگاه ذخیره‌سازی نیمه‌هادی در جهان شده‌اند؛ یک حافظه فلش غیرفرار با نام «PoX» که می‌تواند فقط در 400 پیکوثانیه یک بیت را برنامه‌ریزی کند؛ یعنی امکان انجام حدود 25 میلیارد عملیات در هر ثانیه را دارد. بااین‌وجود، حافظه جدید محققان چینی 100 هزار برابر سریع‌تر از فناوری‌های امروزی است.

حافظه‌های مرسوم RAM (از نوع استاتیک و دینامیک) داده‌ها را در حدود 1 تا 10 نانوثانیه می‌نویسند ولی با قطع برق، همه داده‌هایشان را از دست می‌دهند. حافظه‌های فلش برخلاف آنها می‌توانند اطلاعات را بدون نیاز به برق حفظ کنند ولی معمولاً برای نوشتن هر بیت به چند میکروثانیه یا میلی‌ثانیه زمان نیاز دارند؛ بنابراین برای شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی امروزی که باید ترابایت‌ها داده را لحظه‌ای پردازش کنند، بسیار کند هستند.

بازطراحی فیزیک حافظه فلش

دانشمندان چینی به رهبری پروفسور «ژو پنگ» با جایگزینی کانال‌های سیلیکونی با گرافن دوبعدی و بهره‌گیری از انتقال بالستیک بار الکتریکی، فیزیک حافظه فلش را از نو طراحی کرده‌اند.

همان‌طور که ابتدای مطلب نیز اشاره شده، PoX حافظه غیرفرار است؛ یعنی می‌تواند داده‌ها را بدون نیاز به برق حفظ کند؛ ویژگی مهمی برای سیستم‌های هوش مصنوعی امروزی و دستگاه‌هایی با محدودیت باتری.

ترکیب سرعت فوق‌العاده بالا با مصرف انرژی بسیار پایین، می‌تواند چالش قدیمی حافظه در سخت‌افزارهای هوش مصنوعی را از بین ببرد؛ جایی که بیشترین مصرف انرژی نه از محاسبات بلکه از جابه‌جایی داده ناشی می‌شود.

حافظه فلش همچنان یکی از ارکان اصلی استراتژی جهانی در حوزه نیمه‌هادی‌هاست و حالا کارشناسان می‌گویند دستاورد دانشگاه فودان «مکانیزمی کاملاً نوآورانه» ارائه می‌دهد که می‌تواند این حوزه را متحول کند.

از سوی دیگر، این پیشرفت می‌تواند موقعیت چین در رقابت جهانی برای رهبری در فناوری‌های پایه‌ای تراشه را تقویت کند. هرچند ارقام مربوط به دوام و بازده ساخت این حافظه منتشر نشده، استفاده از کانال گرافنی نشان می‌دهد این فناوری با فرایندهای فعلی مواد دوبعدی که در کارخانه‌های جهانی درحال توسعه‌اند، سازگاری دارد. ژو دراین‌باره می‌گوید:

«پیشرفت ما می‌تواند فناوری ذخیره‌سازی را دگرگون کند، موتور ارتقای صنعت شود و کاربردهای جدیدی را به‌ روی ما بگشاید.»

درصورت تولید انبوه، حافظه‌هایی از نوع PoX می‌توانند نیاز به کش‌های پرسرعت SRAM را در تراشه‌های هوش مصنوعی از بین ببرند؛ درنتیجه، مصرف انرژی و فضای اشغال‌شده را به‌طور چشمگیری کاهش دهند. این فناوری همچنین می‌تواند زمینه‌ساز لپ‌تاپ‌ها و گوشی‌هایی با امکان روشن شدن آنی و مصرف انرژی بسیار پایین شود.

مهندسان دانشگاه فودان اکنون مشغول توسعه معماری سلولی و طراحی آزمایش‌های سطح آرایه‌ای هستند. اگرچه هنوز از شرکای تجاری نامی برده نشده ولی کارخانه‌های چینی درحال رقابت برای ادغام مواد دوبعدی با خطوط تولید CMOS هستند.

پست قبلی

امتیازات ویژه بنیاد ملی نخبگان امتیازات ویژه برای سرآمدان هوش مصنوعی

پست بعدی

مدل‌های هوش مصنوعی استدلالگر جدید OpenAI بیشتر دچار توهم می‌شوند

مربوطه پست ها

سامسونگ نمایشگر 32 اینچی متفاوتی با شارژدهی 200 روزه عرضه می‌کند
لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار

سامسونگ نمایشگر 32 اینچی متفاوتی با شارژدهی 200 روزه عرضه می‌کند

۱۹ خرداد ۱۴۰۴
بلومبرگ: جانی آیو برای OpenAI حداقل سه محصول سخت‌افزاری طراحی می‌کند
لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار

بلومبرگ: جانی آیو برای OpenAI حداقل سه محصول سخت‌افزاری طراحی می‌کند

۱۹ خرداد ۱۴۰۴
اپل احتمالاً در WWDC 2025 سخت‌افزار جدیدی معرفی نمی‌کند
لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار

اپل احتمالاً در WWDC 2025 سخت‌افزار جدیدی معرفی نمی‌کند

۱۹ خرداد ۱۴۰۴
سامسونگ احتمالاً امسال حافظه LPDDR6 را برای رقابت با شرکت‌های چینی عرضه می‌کند
لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار

سامسونگ احتمالاً امسال حافظه LPDDR6 را برای رقابت با شرکت‌های چینی عرضه می‌کند

۱۹ خرداد ۱۴۰۴
میکرون سریع‌ترین و نازک‌ترین حافظه LPDDR5X جهان را برای گوشی‌های پرچم‌دار 2026 عرضه می‌کند
لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار

میکرون سریع‌ترین و نازک‌ترین حافظه LPDDR5X جهان را برای گوشی‌های پرچم‌دار 2026 عرضه می‌کند

۱۸ خرداد ۱۴۰۴
بالاتر از RTX 4090؛ گرافیک مجتمع اینتل با رسیدن به فرکانس 4.25 گیگاهرتز رکورد زد
لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار

بالاتر از RTX 4090؛ گرافیک مجتمع اینتل با رسیدن به فرکانس 4.25 گیگاهرتز رکورد زد

۱۶ خرداد ۱۴۰۴

دیدگاهتان را بنویسید لغو پاسخ

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

18 − 5 =

دانلود اپلیکیشن دانش جوین

جدیدترین اخبار

  • ۴۰ هزار رشته قنات در کشور احیا می شود
  • آب مسأله اول کشور شده است
  • ۱۹ میلیون هکتار زمین طی ۵ سال آبخیزداری می‌شود
  • بررسی بازار ارزهای دیجیتال در هفته‌ای که گذشت
  • سیگنال صعودی ارز چین لینک «Chainlink»
  • پاسینیک
  • خرید سرور hp
  • خرید سرور ایران و خارج
  • مانیتور ساینا کوییک
  • خرید یوسی
  • حوله استخری
  • خرید قهوه
  • تجارتخانه آراد برندینگ
  • ویرایش مقاله
  • تابلو لایت باکس
  • قیمت سرور استوک اچ پی hp
  • خرید سرور hp
  • کاغذ a4
  • قیمت هاست فروشگاهی
  • پرشین هتل
  • خرید لیفتراک دست دوم
  • آموزش علوم اول ابتدایی

تمام حقوق مادی و معنوی وب‌سایت دانش جوین محفوظ است و کپی بدون ذکر منبع قابل پیگرد قانونی خواهد بود.

خوش آمدید!

ورود به حساب کاربری خود در زیر

رمز عبور را فراموش کرده اید؟

رمز عبور خود را بازیابی کنید

لطفا نام کاربری یا آدرس ایمیل خود را برای تنظیم مجدد رمز عبور خود وارد کنید.

ورود
بدون نتیجه
مشاهده همه نتیجه
  • نخست
  • علمی
  • تکنولوژی
    • آرشیو تکنولوژی
    • نرم افزار، اپلیکیشن، سیستم عامل
    • خودرو
    • آرشیو فین‌تک
      • IT
      • دوربین
    • لپتاپ و کامپیوتر و سخت افزار
    • موبایل
  • بازی‌های کامپیوتری
  • پزشکی، سلامت، بهداشت
  • هنر و فرهنگ
  • مقالات
  • سایر پیوندها
    • همیار آی‌تی

تمام حقوق مادی و معنوی وب‌سایت دانش جوین محفوظ است و کپی بدون ذکر منبع قابل پیگرد قانونی خواهد بود.