طبق گزارشها، سامسونگ قصد دارد فناوری Heat Pass Block یا HPB (مسدودکننده انتقال حرارت) را در تراشه جدید اگزینوس 2600 بهکار گیرد تا از داغ شدن بیش از حد تراشه جلوگیری کند و کارایی آن را افزایش دهد.
این تراشه فعلاً در مرحله نمونهسازی قرار دارد و سامسونگ با استفاده از فناوری 2 نانومتری GAA میخواهد عملکرد و بازدهی نسل بعدی چیپست پرچمدار خود را بهبود ببخشد.
سامسونگ فناوری Heat Pass Block را برای تراشه اگزینوس 2600 بهکار میگیرد
باتوجهبه مشکل گرما که در نسلهای قبلی اگزینوس حتی با وجود استفاده از محفظههای بخار در گوشیهای هوشمند دیده شده بود، گزارشها حاکی از آن است که سامسونگ برای کاهش هرچه بیشتر دمای و بهبود دفع حرارت، فناوری HPB را بهکار میگیرد تا تراشه بتواند عملکرد بهینهای داشته باشد. این فناوری بهشکل یک هیتسینک عمل و کمک میکند اگزینوس 2600 بتواند برای مدت طولانیتری با سرعتهای بالای کلاک فعالیت کند.
در ساختار کنونی تراشههای سری اگزینوس، حافظه DRAM مستقیماً روی SoC قرار میگیرد، اما طبق گزارش ETNews، در اگزینوس 2600 هر دو فناوری HPB و DRAM مستقیماً روی تراشه قرار خواهند گرفت و HPB بهعنوان یک هیتسینک برای بهبود انتقال حرارت عمل خواهد کرد. علاوهبراین، سامسونگ قصد دارد فناوری بستهبندی FOWLP یا Fan-out Wafer Level Packaging را روی این Heat Pass Block پیاده کند تا مقاومت حرارتی افزایش یافته و عملکرد چند هستهای بهتر شود.
این فناوری برای نخستین بار در اگزینوس 2400 معرفی شد و سامسونگ میخواهد آن را در اگزینوس 2600 نیز بهکار گیرد تا بتواند با رقبایی مثل اسنپدراگون 8 الیت نسل 2 و دایمنسیتی 9500 رقابت کند. براساس دادههای جدید Geekbench 6، هسته قدرتمند اگزینوس 2600 به فرکانس 3.55 گیگاهرتز رسیده که نسبت به Cortex-X925 در دایمنسیتی 9400+ کندتر است.
وجود فناوریهای HPB و FOWLP به تراشه امکان میدهد تا فرکانسهای بالاتری را حفظ کرده و عملکرد بهتری در بخش تکهستهای و چندهستهای ارائه دهد، درحالیکه دمای دستگاه کنترل میشود. افزایش دما باعث افت عملکرد میشود که علاوهبر کاهش کارایی، باعث ناراحتی کاربر در هنگام استفاده و آسیب به باتری نیز خواهد شد.
اگر فرایند 2 نانومتری GAA سامسونگ بتواند بازده مناسبی داشته باشد، انتظار میرود اگزینوس 2600 تا پایان سال جاری میلادی معرفی شود و پیش از رونمایی خانواده گلکسی S26 در اوایل سال 2026 آماده عرضه باشد.
